这(zhei)款由苏(su)州同创(chuang)电子(zi)有(you)限(xian)公司(si)研发的硅(gui)材料(liao)复(fu)合(he)测(ce)试(shi)仪(yi)SZT-5，结合(he)了(le)二(er)种硅(gui)材料(liao)测(ce)试(shi)仪(yi)器的功能，为用户提(ti)供了(le)前所(suo)未有(you)的测(ce)试(shi)体验。成为了(le)电子(zi)工程师和研究人员的得力助手(shou)。

一、SZT-5硅材料复合测试仪的概述

SZT-5硅材(cai)料复合(he)测(ce)(ce)试(shi)仪，不(bu)仅具备二量程(cheng)的电阻测(ce)(ce)量功能，还(hai)可以(yi)通过手持式四针测(ce)(ce)试(shi)头或座式测(ce)(ce)试(shi)架，轻松测(ce)(ce)量片状(zhuang)、柱(zhu)状(zhuang)或块状(zhuang)半导(dao)体材(cai)料的电阻率(lv)。

SZT-5还(hai)配备了整流法(fa)硅材料(liao)P-N极性判(pan)别(bie)仪，能够准确(que)判(pan)断硅材料(liao)的(de)导电类型。

二、技术参数

测量范围：电(dian)阻率测量(liang)范(fan)围(wei)为(wei)(wei)0.01-200Ω-cm，方块电(dian)阻测量(liang)范(fan)围(wei)为(wei)(wei)0.01-200Ω-口，电(dian)阻测量(liang)范(fan)围(wei)为(wei)(wei)0.01-200.0Ω。

数字电压表：具备200mV单一(yi)量程，误差为读数±0.2%±3字，输(shu)入电阻(zu)超过(guo)10MΩ。

恒流源：电(dian)流输出为(wei)0~10mA连(lian)续可调(diao)，具备1mA和10mA两个量(liang)程，误差为(wei)±0.2%±3字(zi)。

手持式四探针测试头：探(tan)针(zhen)间距为1mm，探(tan)针(zhen)机械游移率为±1.0%，探(tan)针(zhen)材料为碳化钨，最大压力为2Kg。

三、应用领域

SZT-5硅材料(liao)复合(he)测试仪普遍用(yong)于半导体材料(liao)的(de)研究(jiu)与生产、硅材料(liao)薄(bo)层扩散和(he)导电薄(bo)膜的(de)测试，以及其他(ta)需要精确(que)(que)测量电阻率和(he)导电类(lei)型的(de)领域。为(wei)用(yong)户提供了高效、精确(que)(que)的(de)测试解决(jue)方案。

如果您对SZT-5感(gan)兴趣，欢迎(ying)随时咨(zi)询(xun)我(wo)们(men)，我(wo)们(men)的(de)专(zhuan)业团队将为您提供详细的(de)产品信息(xi)和专(zhuan)业的(de)技(ji)术支(zhi)持。​